點蝕是一種外觀隱蔽而又具有極大破壞性的局部腐蝕形態(tài)，是導(dǎo)致不銹鋼設(shè)備受損的重要原因之一。一方面，點蝕會造成設(shè)備穿孔而報廢，造成巨大的經(jīng)濟(jì)損失。另一方面，點蝕往往是應(yīng)力腐蝕裂紋的起源，由點蝕發(fā)展為應(yīng)力腐蝕開裂。特別是在石油、化工、核電等領(lǐng)域，設(shè)備所處環(huán)境惡劣，由點蝕和應(yīng)力腐蝕造成的設(shè)備開裂使大量的危險介質(zhì)泄漏，甚至造成火災(zāi)、爆炸等災(zāi)難。因此，點蝕成因、影響因素、預(yù)防措施等方面的研究工作一直在進(jìn)行，然而，在實際生產(chǎn)中，奧氏體不銹鋼發(fā)生點蝕的概率依然較大。

  不銹鋼點蝕的成因是鈍化膜局部破裂。金屬鈍化膜破裂由各種不同的機制引起。目前，有關(guān)鈍化膜破裂的機理主要有三類：穿透機理、吸附機理以及斷裂機理。

  穿透機理認(rèn)為：陰離子能夠穿透氧化膜進(jìn)入基體材料，引起金屬溶解。侵蝕性離子首先吸附在氧化膜表面，然后在電場作用下穿過氧化膜。與Br^-和I^-相比，氯離子的直徑較小，更容易穿透氧化物晶格。值得注意的是，對于銅、鋁、鐵、鎳及其合金等材料，氯是最有侵蝕性的鹵素離子；然而，對于Ta和Ti金屬，Br^-和I^-的侵蝕性更強。侵蝕性離子的加入會污染鈍化膜，在穿透路徑上導(dǎo)致較高的離子電導(dǎo)率，因此該過程是自催化的。在金屬－氧化界面上，空位的形成和聚合會破壞薄膜，或者在氧化膜－溶液界面可能會發(fā)生快速陽離子釋放。在任何一種情況下，快速的陽離子逸出和隨后的點蝕都會繼續(xù)進(jìn)行。穿透機理示意圖如圖2-1所示。

  斷裂機理認(rèn)為：點蝕的發(fā)生是由某些原因使鈍化膜機械應(yīng)力破裂而引起的，鈍化膜破裂后使溶液中離子與基體材料接觸，引起金屬溶解，其示意圖如圖2-2所示。引起鈍化膜機械破裂的主要原因有空位累積、界面張力、電致伸縮壓力、靜電壓力等。

  吸附機理認(rèn)為：侵蝕性陰離子吸附在氧化膜表面并取代了氧元素，這可能會導(dǎo)致表面與金屬離子形成絡(luò)合物。與不絡(luò)合的情況相比，氧化膜中的金屬離子在絡(luò)合物的作用下向溶液中析出，造成鈍化膜厚度減小，直到完全去除氧化膜和發(fā)生活性溶解。其過程如圖2-3所示。

  三種機理的分析前提是不考慮金屬中的其他夾雜物和缺陷，把材料作為理想體系。但是，實際金屬表面并不是理想的“完整體”，由于表面的夾雜物、沉淀等會使鈍化膜厚度不均勻，在制造、運輸、安裝、使用等過程中也可能會造成鈍化膜機械破壞，這些薄弱環(huán)節(jié)很可能成為點蝕的起始位置。硫化物是不銹鋼中一種常見的夾雜物，如MnS,眾多研究結(jié)果表明，不銹鋼的點蝕很多起源于硫化物位置。這是因為，硫化物與基體材料之間是不連續(xù)的結(jié)構(gòu)，兩者邊界處應(yīng)力較大，應(yīng)力集中加速了鈍化膜溶解。邊界處的鈍化膜溶解后，會形成溝槽，H⁺等離子在溝槽內(nèi)富集，改變了硫化物周圍的環(huán)境。在腐蝕性更強的環(huán)境中，硫化物加速溶解。同時，被腐蝕掉的硫化物會附著在原位置上面，形成局部閉塞區(qū)域，閉塞區(qū)域內(nèi)的腐蝕環(huán)境更惡劣，金屬腐蝕加速。